集成电路工艺原理

• 151、

  有限表面源扩散

• 152、

  恒定表面源扩散

• 153、

  横向扩散

• 154、

  保形覆盖

• 155、

  简述两步扩散的含义与目的？

• 156、

  扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各

• 157、

  简述离子注入工艺中退火的主要作用？

• 158、

  简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？

• 159、

  简述干氧氧化与湿氧氧化各自的特点，通常用哪种工艺制备较厚的二氧化硅层？

• 160、

  与普通溅射法相比，磁控溅射的特点是什么？

• 161、

  说明APCVDLPCVDPECVD各自的含义及特点。

• 162、

  简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么？主要有哪些方式？并解释各种方式的详细内容。

• 163、

  光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝

• 164、

  引线键合技术的分类及结构特点？

• 165、

  载带自动焊的分类及结构特点？

• 166、

  载带自动焊的关键技术有哪些？

• 167、

  倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？

• 168、

  比较各种芯片互联方法的优缺点？

• 169、

  埋层芯片互联－后布线技术的结构特点及发展趋势？

• 170、

  插装元器件的结构特点及应用？

• 171、

  插装元器件与表面贴装元器件主要区别？

• 172、

  表面组装电阻器主要有哪几类？各有什么特点？

• 173、

  矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？

• 174、

  片式瓷介电容器主要有哪几种类型？各有什么主要特点？

• 175、

  片式钽电解电容和铝电解电容有什么主要特点和主要差别？

• 176、

  片式电感器的类型主要有几种？其结构各有什么特点？

• 177、

  其它表面组装元件主要是指哪些元件？这些元件各有什么特点？分别用在哪些场合？

• 178、

  简述BGA的安装互联技术？

• 179、

  BGA的封装结构和主要特点？

• 180、

  简述CSP的封装技术？

• 181、

  简述MCM的概念、分类与特性？

• 182、

  简述MCM的设计？

• 183、

  简述MCM的组装技术？

• 184、

  简述MCM的测试技术？

• 185、

  简述MCM的BGA封装？

• 186、

  堆叠封装的发展趋势？

• 187、

  封装中涉及到的主要材料有哪些？

• 188、

  简述引线材料？

• 189、

  简述引线框架材料？

• 190、

  简述芯片粘结材料？

• 191、

  简述模塑料？

• 192、

  简述焊接材料？

• 193、

  SMT电路基板（SMB）的主要特点？

• 194、

  简述多层印制电路基板制造工艺？

• 195、

  集成电路测试的意义和基本任务？

• 196、

  集成电路测试的分类？

• 197、

  测试过程4要素？

• 198、

  旋涂膜层

• 199、

  互连意

• 200、

  接触

• 201、

  通孔

• 202、

  填充薄膜

• 203、

  玻璃回流

• 204、

  驻波效应

• 205、

  光刻胶

• 206、

  级联碰撞

• 207、

  离子注入的晶格损伤

• 208、

  离子注入的沟道效应

• 209、

  核阻止机制

• 210、

  电子阻止机制

• 211、

  投影射程

• 212、

  平均投影射程Rp

• 213、

  射程R

• 214、

  横向扩散

• 215、

  有限表面源扩散

• 216、

  扩散的宏观机制

• 217、

  扩散定义

• 218、

  固溶度（solubility）

• 219、

  方块电阻（薄层电阻）

• 220、

  短沟道效应（Short Channel Effect）

• 221、

  CMP

• 222、

  桥键氧

• 223、

  非桥键氧

• 224、

  网络改变剂

• 225、

  干氧

• 226、

  水汽氧化

• 227、

  湿氧氧化

• 228、

  分凝系数

• 229、

  有限表面源扩散

• 230、

  两步法扩散

• 231、

  预淀积

• 232、

  再分布

• 233、

  核碰撞

• 234、

  电子碰撞

• 235、

  沟道效应

• 236、

  退火

• 237、

  RTA（RTP）

• 238、

  物理气相淀积（pvd）

• 239、

  真空蒸发

• 240、

  饱和蒸气压

• 241、

  升华

• 242、

  直流辉光放电

• 243、

  溅射

• 244、

  化学气相淀积

• 245、

  APCVD（常压CVD）

• 246、

  LPCVD（低压CVD）

• 247、

  PECVD（等离子增强CVD）

• 248、

  保形覆盖

• 249、

  外延

• 250、

  外延层

• 251、

  外延片

• 252、

  同质外延

• 253、

  异质外延

• 254、

  扩散效应

• 255、

  自掺杂效应

• 256、

  分子束外延（MBE）

• 257、

  SOS

• 258、

  SOI

• 259、

  选择性外延

• 260、

  光刻

• 261、

  光刻三要素

• 262、

  刻蚀

• 263、

  ULSI对光刻的要求

• 264、

  分辨率R

• 265、

  临界曝光量

• 266、

  阈值曝光量

• 267、

  湿法腐蚀

• 268、

  干法腐蚀

• 269、

  净化级别

• 270、

  杂质固溶度

• 271、

  有限源扩散

• 272、

  Moorelaw

• 273、

  特征尺寸

• 274、

  Fabless

• 275、

  SOI

• 276、

  RTA

• 277、

  微电子

• 278、

  IDM

• 279、

  Chipless

• 280、

  LOCOS

• 281、

  STI

• 282、

  现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新

• 283、

  集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？

• 284、

  在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生

• 285、

  解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？

• 286、

  什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？

• 287、

  在半导体制造技术中，高k介质和低k介质各自应用在什么地方，为什么？

• 288、

  阐述铜金属化面临的三大问题，如何解决这些问题？

• 289、

  Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质，为什么？请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。

• 290、

  化学机械平坦化的工作机理是什么？与传统平坦化方法相比，它有哪些优点？

• 291、

  采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质量更高，为什么？那么目前8英寸以上的

• 292、

  为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？

• 293、

  比较投影掩模版和光学掩模版有何异同？说明采用什么技术形成投影掩模版上的图形？

• 294、

  在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电

• 295、

  为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限？为什么现在需要高K值（介电常数）的栅介质？低K介质用在什么

• 296、

  离子注入后为什么要退火，高温退火和快速热处理哪个更优越，为什么？

• 297、

  解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD