找答案
首页
所有题库
找答案
APP下载
手机号登录
集成电路工艺原理
首页
所有题库
集成电路技术
集成电路工艺原理
题目详情
STI
题库:集成电路技术
类型:简答题
时间:2017-06-23 18:42:57
免费下载:
《集成电路工艺原理》Word试卷
STI
;
微信扫码获取答案解析
下载APP查看答案解析
您可能感兴趣的题目
1、
STI隔离技术中,为什么采用干法离子刻蚀形成槽?
2、
下列语句中正确的是()表score(sti_id,names,math,English,VB)
3、
通常,中断服务程序中的一条STI指令,其目的是( )。
4、
通常,中断服务程序中的一条STI指令,其目的是( )。
5、
通常,中断服务程序中的一条STI指令,其目的是( )。
6、
通常,中断服务程序中的一条STI指令,其目的是( )。
附近题目
现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少,是何家企业生产?请举出三个以上在这种工艺中所采用的新
集成电路制造工艺中,主要有哪两种隔离工艺?目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺,为什么?
在集成电路制造工艺中,轻掺杂漏(LDD)注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场,从而防止热载流子的产生
解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺,而不采用铝栅工艺?
什么是离子注入时的沟道效应?列举出三种控制沟道效应的方法?
在半导体制造技术中,高k介质和低k介质各自应用在什么地方,为什么?
阐述铜金属化面临的三大问题,如何解决这些问题?
Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质,为什么?请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。
化学机械平坦化的工作机理是什么?与传统平坦化方法相比,它有哪些优点?
采用提拉法(CZ法,切克劳斯基法)和区熔法制备的硅片,哪种方法质量更高,为什么?那么目前8英寸以上的
为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢-氮混合气体退火?
比较投影掩模版和光学掩模版有何异同?说明采用什么技术形成投影掩模版上的图形?
在大规模集成电路中,闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电
为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限?为什么现在需要高K值(介电常数)的栅介质?低K介质用在什么
离子注入后为什么要退火,高温退火和快速热处理哪个更优越,为什么?
解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别,哪种工艺依赖于温度,LPCVD和APCVD
什么叫半导体集成电路?
按照半导体集成电路的集成度来分,分为哪些类型,请同时写出它们对应的英文缩写。
按照器件类型分,半导体集成电路分为哪几类?
按电路功能或信号类型分,半导体集成电路分为哪几类?
相关关键词