增加集成度在简化的路径包括增加集成度、（）、双系统与多系统和（）。

和MOS型RAM比较，双极型RAM的特点是( )。

A:速度快、集成度低、位功耗高 B:速度快、集成度高、位功耗高 C:速度快、集成度低、位功耗低 D:速度慢、集成度低、位功耗高

和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。

A:集成度低，存取周期快，位平均功耗大 B:集成度低，存取周期慢，位平均功耗小 C:集成度高，存取周期快，位平均功耗小 D:集成度高，存取周期慢，位平均功耗大

和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。

A:集成度低，存取周期快，位平均功耗大 B:集成度低，存取周期慢，位平均功耗小 C:集成度高，存取周期快，位平均功耗小 D:集成度高，存取周期慢，位平均功耗大

集成电路的集成度与 组成逻辑门电路的晶体管尺寸有关，尺寸越小，集成度越高。

集成电路的集成度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有关， 尺寸越小，集成度越高。