微电子学

• 1、

  列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用？

• 2、

  用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念？

• 3、

  简单叙述微电子学对人类社会的作用？

• 4、

  载流子的输运有哪些模式？对这些输运模式进行简单的描述。

• 5、

  闩锁效应起因？

• 6、

  什么是集成电路设计？

• 7、

  21世纪硅微电子技术的主要发展方向有哪些？

• 8、

  微电子器件的特征尺寸继续缩小的关键技术有哪些？

• 9、

  简述集成电路的分类？

• 10、

  解释PN节的单向导电性？

• 11、

  集成电路的性能指标有哪些？

• 12、

  什么是集成电路设计？集成电路的设计方法有哪些？

• 13、

  集成电路设计流程，三个设计步骤？

• 14、

  简述VHDL语言的用途及其电路描述风格？

• 15、

  什么是电路模拟？其在IC设计中的作用？

• 16、

  器件模拟

• 17、

  工艺模拟

• 18、

  光电器件主要包括哪几类？简述光电倍增管的基本原理？

• 19、

  微电子学是以实现（）的集成为目的的。

• 20、

  集成电路封装的类型非常多样化。按管壳的材料可以分为金属封装、（）和塑料封装。

• 21、

  （）是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。

• 22、

  PN结的最基本性质之一就是其具有（）。

• 23、

  根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为（）和隧道击穿这两种电击穿。

• 24、

  隧道击穿主要取决于空间电荷区中的（）。

• 25、

  PN结总的电容应该包括势垒电容和（）之和。

• 26、

  在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。

• 27、

  晶体管的直流特性（）是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线。

• 28、

  晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，（）。

• 29、

  双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为（）来使用，在电路中得到了大量的应用。

• 30、

  N型半导体中电子是多子，空穴是（）。

• 31、

  在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。

• 32、

  所谓（），是指幅度随时间连续变化的信号。

• 33、

  所谓（），指在时间上和幅度上离散取值的信号。

• 34、

  计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做（）。

• 35、

  半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路

• 36、

  MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。

• 37、

  集成电路的特征尺寸有时也称线宽，通常是指集成电路中半导体器件的（）。

• 38、

  集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和（）的主要指标。

• 39、

  集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（）、封装等工序。

• 40、

  双极型晶体管其有两种基本结构：PNP型和（）型。

• 41、

  双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种（）。

• 42、

  能量最高的是价电子所填充的能带，称为（）。

• 43、

  2000年，因发明集成电路而被授予诺贝尔物理学奖的是（）。

• 44、

  在微电子学中的空间尺寸通常是以μm和（）为单位的。

• 45、

  本征半导体的导电能力很弱，热稳定性很（）。

• 46、

  非晶、（）、单晶是固体的三种基本类型。

• 47、

  晶体性质的基本特征之一是具有（）。

• 48、

  MOSIC的缺点是（）。

• 49、

  硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有（）结构。

• 50、

  （）集成电路已成为集成电路的主流。

• 51、

  一般认为MOS集成电路功耗低、（），宜用作数字集成电路。

• 52、

  迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。

• 53、

  反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（）。

• 54、

  组合逻辑电路的输出状态只与当时的（）有关。

• 55、

  微电子技术、通信技术和因特网技术构成了信息技术发展的三大基础。

• 56、

  微电子技术的核心是集成电路，中央处理器是集成电路的标志性产品之一。

• 57、

  双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。

• 58、

  EDA是计算机辅助测试的英文简称。

• 59、

  在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

• 60、

  双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。

• 61、

  常用来制造半导体发光二极管的材料是直接跃迁晶体材料。

• 62、

  SOC指的是系统芯片。

• 63、

  微机电系统的制造工艺与IC制造工艺是完全一样的。

• 64、

  常用的IC设计方法有全定制设计方法、标准单元设计方法、门阵列设计方法和可编程逻辑电路设计方法等。对于

• 65、

  从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。

• 66、

  标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。

• 67、

  对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。

• 68、

  半导体激光器的工作原理是受激发射。

• 69、

  同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。

• 70、

  对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。

• 71、

  CMOS电路与双极集成电路相比速度快。

• 72、

  对于发光二极管，其内量子效率比外量子效率小。

• 73、

  如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。

• 74、

  什么是N型半导体？什么是P型半导体？如何获得？

• 75、

  简述晶体管的直流工作原理？

• 76、

  晶体管的基极宽度会影响那些参数？为什么？

• 77、

  经过那些工艺流程可以实现选择“掺杂”？写出工艺流程。

• 78、

  PN结的寄生电容有几种，形成机理，对PN结的工作特性及使用的影响？

• 79、

  什么是基区宽变效应，基区宽变效应受哪些因素影响？

• 80、

  CMOS集成电路版图设计中，什么是有比例设计和无比例设计，对电学参数有哪些影响？

• 81、

  对门电路而言，高低电平噪声容限受哪些因素影响？

• 82、

  在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？

• 83、

  什么是线性电源？

• 84、

  短沟道效应

• 85、

  沟道长度调制效应

• 86、

  “掺杂”

• 87、

  厄利电压

• 88、

  平带电压

• 89、

  扩散法（diffusion）

• 90、

  离子注入

• 91、

  退火

• 92、

  什么是电路模拟？其在IC设计中的作用。

• 93、

  试述器件模拟和工艺模拟的基本概念。

• 94、

  SPICE主要可以完成哪些主要的电路分析。

• 95、

  列出逻辑模拟中的主要延迟模型，并给出简单说明。

• 96、

  半导体发光器件的基本原理是什么？

• 97、

  版图验证和检查包括哪些内容？如何实现？

• 98、

  层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次。

• 99、

  Wafer晶元

• 100、

  Die芯片裸片