在分光光度法中，不影响显色的因素有

A:显色剂的浓度 B:显色溶液的酸度 C:显色温度 D:显色时间 E:显色溶液的体积

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作

真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括

A:预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间 B:预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 C:现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 D:现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 E:现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作

在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是

A:31～40℃ B:21～30℃ C:10℃以内 D:11～20℃ E:5℃

显色反应中显色剂的选择原则是（）。

A:显色剂的ε越大越好 B:显色反应产物的ε值越大越好 C:显色剂的ε值越小越好 D:显色反应产物的ε值越小越好 E:显色反应产物和显色剂，在同一光波下的ε值相差越大越好 F:显色反应过程中温度越低越好 G:显色反应过程中温度越高越好

主要的显色反应条件不包括（）。

A:显色剂用量 B:显色时间 C:显色温度 D:氧化剂用量

常见的显色条件，除了酸度、显色时间、显色温度外，还有（）。

A:还原剂浓度 B:生成物浓度 C:显色剂的浓度 D:被测物浓度

转炉的温度控制是指（）。

A:吹炼终点温度控制 B:吹炼过程温度控制 C:吹炼过程温度和吹炼终点温度控制 D:入炉铁水的温度控制

转炉的温度控制是指（）。

A:吹炼终点温度控制 B:吹炼过程温度控制 C:吹炼过程温度和吹炼终点温度控制

温度控制活门的共用是：（）.

A:控制温度的高低。 B:控制温度的变化率。 C:控制温度的高低和变化率。 D:控制座舱的供气量。