硅片上的氧化物主要通过()和()的方法产生,由于硅片表面非常平整,使得产生的氧化物主要为层状结构,所以又称为()。

题库:集成电路技术 类型:填空题 时间:2017-06-23 18:42:57 免费下载:《集成电路工艺原理》Word试卷

硅片上的氧化物主要通过()和()的方法产生,由于硅片表面非常平整,使得产生的氧化物主要为层状结构,所以又称为()。

硅片上的氧化物主要通过()和()的方法产生,由于硅片表面非常平整,使得产生的氧化物主要为层状结构,所以又称为()。

本题关键词:二氧化硅,氧化酶-过氧化物酶法,过氧化物酶法,二氧化硅粉尘,生物氧化脱氢,辣根过氧化物酶―抗辣根过氧化物酶法,氧化物酶法,髓过氧化物酶,过氧化物酶染色法,氧化物膜;

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