热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。

题库:集成电路技术 类型:判断题 时间:2017-06-23 18:42:57 免费下载:《集成电路工艺原理》Word试卷

热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。

热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。

本题关键词:横向扩大,单向扩散法,双向免疫扩散,单向扩散实验,双向琼脂扩散,单向扩散试验,双向扩散试验,单向扩散测定,单向免疫扩散,免疫双向扩散;

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