离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除,掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。

题库:集成电路技术 类型:判断题 时间:2017-06-23 18:42:57 免费下载:《集成电路工艺原理》Word试卷

离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除,掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。

离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除,掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。

本题关键词:腰部撞击伤,腹部损伤,损伤因子,吸入性损伤,分娩损伤,头部撞伤,丘脑下部损伤,手部肌腱损伤,手部血管损伤,颈部血管损伤;

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