在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

测试非平衡少数载流子数目的方法？

对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）

A:低，好，多 B:低，好，少 C:低，差，多 D:高，好，多

对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

A:非平衡载流子浓度成正比； B:平衡载流子浓度成正比； C:非平衡载流子浓度成反比； D:平衡载流子浓度成反比。

在P型半导体中，（）是少数载流子。

A:空穴 B:电子 C:硅 D:锗

N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

A:温度 B:掺杂工艺 C:杂质浓度 D:晶体缺陷 E:空穴 F:自由电子

（）型半导体中，自由电子为少数载流子。

在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）

P型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）N型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是。

穴穴、电子、电子、空穴