N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。

A:W型半导体 B:U型半导体 C:P型半导体 D:N型半导体

P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。

A:W型半导体 B:U型半导体 C:P型半导体 D:N型半导体

在P型半导体中，（）是多数载流子。

A:空穴 B:电子 C:硅 D:锗

部类半导体中，参加导电的多数载流子是（）。

A:电子 B:质子 C:空穴

N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。

A:正离子 B:自由电子 C:空穴 D:负离子 E:质子 F:中子

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。

五；自由电子；空穴；正

在P型半导体中（）是多数载流子；在N型半导体中电子是多数载流子。

P型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）N型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是。

穴穴、电子、电子、空穴

PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。

在大多数磁盘中， (10) 。

A:最内圈磁道的位密度最大 B:各磁道的位密度相同 C:最外圈磁道的位密度最大 D:写入时选择较高的位密度，以增加记录信息；读出时选择低的位密度，以提高可靠性