关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是

A:被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B:探测器有电离室式、半导体、荧光体三种 C:AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关 D:探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样 E:探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择

关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是

A:被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B:探测器有电离室式、半导体、荧光体3种 C:AEC的管电压特性与所用屏一片体系的管电压特性有关 D:探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样 E:探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择

关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。

A:被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B:半导体、荧光体3种 C:AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关 D:探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样 E:形状、数量应根据摄影部位选择

影响射线照相影像质量因素的清晰度之胶片颗粒性与屏斑等的相关因素包括（）

A:胶片型别 B:显影处理 C:射线能量 D:增感屏型别 E:以上都是

关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是

A:被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B:探测器有电离室式、半导体、荧光体3种 C:AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关 D:探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样 E:探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择

关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是

A:被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B:探测器有电离室式、半导体、荧光体3种 C:AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关 D:探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样 E:探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择

关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。

A:被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B:半导体、荧光体3种 C:AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关 D:探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样 E:形状、数量应根据摄影部位选择