影响连续X线产生的因素包括X线管靶面物质、管电压、管电流以及__波形。

管电压对连续X线的影响正确的是

A:强度I与管电压(kV)的，n次方成反比 B:管电压升高，最短波长变长 C:管电压升高，最大强度所对应的波长向长波方向移动 D:最大光子能量等于高速电子碰撞靶物质的动能 E:强度与管电压无关

高千伏摄影是指用120kV以上管电压产生的能量较大的X线，高能量X线通过肢体时，被吸收衰减的方式、吸收系数均与一般能量的X线不同，形成了与一般X线摄影影像不同的对比度变化，从而得到与一般X线摄影不同的效果。

关于管电压叙述正确的是

A:管电压与穿透深度无关 B:管电压不影响照片影像对比度 C:管电压升高，摄影条件宽容度增大 D:高电压摄影可降低信息量 E:管电压不影响照片密度

关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是

A:被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B:探测器有电离室式、半导体、荧光体3种 C:AEC的管电压特性与所用屏一片体系的管电压特性有关 D:探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样 E:探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择

关于自动曝光控制（AEC）的解释，错误的是（）。

A:根据被照体厚薄预先确定曝光量 B:有电离室式探测器 C:AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关 D:有半导体式探测器 E:探测器的采光野位置应根据摄影部位选择

关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。

A:被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B:半导体、荧光体3种 C:AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关 D:探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样 E:形状、数量应根据摄影部位选择

关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是

A:被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B:探测器有电离室式、半导体、荧光体3种 C:AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关 D:探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样 E:探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择

关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。

A:被照体很薄时，AEC也可立即切断X线 B:半导体、荧光体3种 C:AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关 D:探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样 E:形状、数量应根据摄影部位选择

关于自动曝光控制（AEC）的解释，错误的是（）。

A:根据被照体厚薄预先确定曝光量 B:有电离室式探测器 C:AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关 D:有半导体式探测器 E:探测器的采光野位置应根据摄影部位选择