抑制性突触后电位产生的离子机制主要是

A:Na内流 B:K外流 C:Ca内流 D:Cl内流 E:Na内流和K外流

产生抑制性突触后电位的主要离子流是

A:K外流 B:Na内流 C:Ca内流 D:Cl内流 E:H外流

抑制性突触后电位产生的离子机制是

A:Na内流 B:K内流 C:Ca内流 D:Cl内流 E:K外流

抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。

A:Na⁺内流 B:K⁺内流 C:Ca²⁺内流 D:Cl^ˉ内流 E:K⁺外流

关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）

A:突触前轴突末梢超极化 B:突触后膜对Ca²⁺、K⁺的通透性增大 C:突触后膜去极化 D:突触后膜电位负值增大，出现超极化 E:突触后膜对K⁺、Na⁺，尤其是K⁺的通透性增大

抑制性突触后电位产生的离子机制是（）

A:Ca^2＋内流 B:Cl^-内流 C:Na^＋内流 D:K^＋内流 E:K^＋外流

抑制性突触后电位产生的离子机制是

A:Cl-外流 B:Na+内流 C:Cl-内流 D:Ca2+内流 E:K+外流

可产生抑制性突触后电位的离子基础是

A:K+ B:Na+ C:Ca+ D:Cl- E:Mg2+

可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）。

A:K⁺ B:Na⁺ C:Ca²⁺ D:Cl^- E:H⁺