抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。
A:Na+、Cl-、K+,尤其是K+ B:Ca2+K+、Cl-,尤其是Ca2+ C:Na+、K+,尤其是Na+ D:K+、Cl-,尤其是C1- E:K+、Cl-、Na+,尤其是Cl-
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性()
A:Na+,K+,Cl-尤其是K+ B:Ca2+,K+,Cl-尤其上是Ca2+ C:Na+,K+,Cl-尤其是Na+ D:K+,Cl-尤其是Cl- E:Ca2+,Na+尤其是Ca2+
EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性 ( )
A:Na+、K+、Cl-,尤其是Na+ B:Ca2+和K+ C:Na+、K+、Cl-,尤其是K+ D:Na+、K+、Cl-,尤其是Cl-
EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性 ( )
A:Na+、K+、Cl-,尤其是Na+ B:Ca2+和K+ C:Na+、K+、Cl-,尤其是K+ D:Na+、K+、Cl-,尤其是Cl-
EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性 ( )
A:Na+、K+、Cl-,尤其是Na+ B:Ca2+和K+ C:Na+、K+、Cl-,尤其是K+ D:Na+、K+、Cl-,尤其是Cl-
EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性 ( )
A:Na+、K+、Cl-,尤其是Na+ B:Ca2+和K+ C:Na+、K+、Cl-,尤其是K+ D:Na+、K+、Cl-,尤其是Cl-