探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数，它是随（）。

A:频率增加、晶片直径减小而减小 B:频率或直径减小而增大 C:频率或直径减小而减小 D:频率增加、晶片直径减小而增大

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的（）。它随频率的增加、晶片直径的减小而（）。

探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。

A:增加 B:减小 C:不变

提高近表面缺陷的探测能力的方法是（）

A:用TR探头 B:使用窄脉冲宽频带探头 C:提高探头频率，减小晶片尺寸 D:以上都是

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。

A:频率增加、晶片直径减小而减小 B:频率或直径减小而增大 C:频率或直径减小而增大 D:频率增加、晶片直径减小而增大

在利用实心轴上圆柱面底波按AVG方法校正探伤灵敏度时，为了保证轴的直径不小于3.7N，通常可通过（）使之实现

A:减小探头尺寸 B:加大探头尺寸 C:降低检测频率 D:以上都不对

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数， 它是随( )。

A:频率增加、 晶片直径减小而减小 B:频率或直径减小而增大 C:频率或直径减小而增大 D:频率增加、 晶片直径增大而减小

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。 它是随频率增加、 晶片直径减小而增 大。

横波探头晶片尺寸一定， K 值增大时， 近场区长度减小。 ( )

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中， 在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头 K 值的 增大而（ ）。

A:增大 B:不变 C:减小 D:都有可能