可控硅元件的短路保护可选用以下哪一种熔断器。（）

A:快速熔断器 B:封闭式熔断器 C:插入式熔断器

晶体管的过流保护措施是（）。

A:并联阻容吸收回路 B:并联快速熔断器 C:串联阻容吸收电路 D:串联快速熔断器

晶闸管两端（）的目的是实现过压保护。

A:串联快速熔断器 B:并联快速熔断器 C:并联压敏电阻 D:串联压敏电阻

晶闸管过电流保护方法中，最常用的是保护（）。

A:瓷插熔断器 B:有填料熔断器 C:无填料熔断器 D:快速熔断器

功率整流装置应设交流侧过电压保护和换相过电压保护，每个支路应有快速熔断器保护，快速熔断器动作特性不需与被保护元件过流特性相配合。

正确选择快速熔断器，可使晶闸管得到可靠保护，下述哪些是正确的？（）

A:快速熔断器的I2t值应小于晶闸管允许的I2t值 B:快速熔断器的通断能力必须大于线路可能出现的最大短路电流 C:快速熔断器分断时的电弧电压峰值必须小于晶闸管允许的反向峰值电压 D:快速熔断器的额定电流应等于晶闸管器件本身的额定电流

晶闸管过电流保护方法中，最常用的时保护 （ ）

A:瓷插熔断器 B:有填料熔断器 C:无填料熔断器 D:快速熔断器

晶闸管过电流保护方法中， 最常用的是保护(　)。

A:瓷插熔断器 B:有填料熔断器 C:无填料熔断器 D:快速熔断器