供电电压相同时，CMOS电路与TTL电路输出的高电平与低电平的情况为（）

A:CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平低 B:CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平高 C:CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平低 D:CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平高

在80C51单片机芯片的串行口电平采用的电平为（）。

A:TTL电平 B:RS232C电平 C:RS422电平 D:RS485电平

执行指令MOVXA，﹫DPTR时，WR、RD脚的电平为（）。

A:WR高电平，RD低电平 B:WR低电平，RD高电平 C:WR低电平，RD低电平

在51单片机单片机芯片的串行口电平采用的电平为（）.

A:TTL电平 B:RS232C电平 C:RS422电平 D:RS485电平

电平

利用电平检测电路鉴别压差方向时，如果UG＜US，但压差小于允许值，则（）。

A:电平检测电路Ⅰ动作 B:电平检测电路Ⅱ动作 C:电平检测电路Ⅰ、Ⅱ动作 D:电平检测电路Ⅰ、Ⅱ不动作

TTL与非门输入端全部接高电平时，输出为（）。

A:零电平 B:低电平 C:高电平 D:低电平或高电平

选频法测量管道防腐层电阻率时，现场参数包括（）频率，信号发射端对地电平。发射-手端电平差，被测管段长与被测管端线代表性土壤电阻率等。

A:发射信号 B:接收信号 C:电平信号 D:管道信号

电平