上釉的烧结温度是

A:低于体瓷烧结温度5℃ B:低于体瓷烧结温度10℃ C:高于体瓷烧结温度5℃ D:高于体瓷烧结温度10℃ E:以上均不正确

上釉的烧结温度是

A:低于体瓷温度5℃ B:低于体瓷温度10℃ C:低于体瓷温度2CC D:高于体瓷温度5℃ E:高于体瓷温度10℃

自身釉烧结的温度是

A:低于体瓷烧结温度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面

自身釉烧结的温度是

A:低于体瓷烧结愠度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面

自身釉烧结的温度是（）。

A:低于体瓷烧结温度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面

上釉的烧结温度是（）

A:低于体瓷烧结温度5℃ B:低于体瓷烧结温度10℃ C:高于体瓷烧结温度5℃ D:高于体瓷烧结温度10℃ E:以上均不正确

自身釉烧结的温度是

A:低于体瓷烧结愠度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面