晶体三极管具有（）放大的特性。

A:电压 B:电阻 C:电流 D:电功

晶体三极管处于放大状态时（）。

A:集电极正偏，发射极正偏 B:集电极反偏，发射极正偏 C:集电极正偏，发射极反偏

晶体三极管由（）结。

A:三个半导体区组成，形成两个NP B:三个半导体区组成，形成两个PN C:二个半导体区组成，形成两个NP D:二个半导体区组成，形成两个PN

晶体三极管最基本的作用是“放大”。（）

晶体三极管用于放大时则（）

A:发射结反偏，基电结反偏。 B:发射结正偏，基电结反偏。 C:发射结正偏，基电结正偏。 D:发射结反偏，基电结正偏。

晶体三极管作开关用时，是工作在（）。

A:放大区； B:饱和区； C:截止区； D:饱和区和截止区。

下列（）不是晶体三极管的主要参数。

A:集电极最大允许电流ICm B:集电极最大允许功率损耗 C:穿透电流 D:触发电压

下列中（）不是晶体三极管的主要参数。

A:集电极最大允许电流ICM B:集电极最大允许轴功率损耗 C:穿透电流 D:触发电压

晶体三极管、电阻、集成电路、超大规模集成电路等元件的装连顺序是（）。

A:晶体三极管、电阻、超大规模集成电路、集成电路 B:集成电路、超大规模集成电路、电阻、晶体三极管 C:电阻、晶体三极管、集成电路、超大规模集成电路 D:超大规模集成电路、集成电路、晶体三极管、电阻

3AG和3DG系列的晶体三极管为（）晶体三极管。

A:低频小功率 B:低频大功率 C:高频小功率 D:高频大功管