用分馏法分离挥发油,压力为1.333kPa,在下列温度下

单萜烯类在何温度下收集( )

A:20~35℃ B:35~70℃ C:70~100℃ D:100~140℃ E:140~200℃

用分馏法分离挥发油,压力为1.333kPa,在下列温度下

单萜含氧化合物在何温度下收集( )

A:20~35℃ B:35~70℃ C:70~100℃ D:100~140℃ E:140~200℃

用分馏法分离挥发油,压力为1.333kPa,在下列温度下

倍半萜烯及含氧化合物在何温度下收集( )

A:20~35℃ B:35~70℃ C:70~100℃ D:100~140℃ E:140~200℃

用分馏法分离挥发油,压力为1.333kPa,在下列温度下

薁类化合物在何温度下收集( )

A:20~35℃ B:35~70℃ C:70~100℃ D:100~140℃ E:140~200℃

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作

真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括

A:预热温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间 B:预热温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间 C:现时温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间 D:现时温度,最终温度,预热时间,升温时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间 E:现时温度,最终温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间

设定变换反应温度应考虑的因素是()。

A:节能 B:催化剂的活性温度 C:反应炉材质 D:反应速度

组件温度是指()温度。

A:组件背板温度 B:组件表面温度 C:环境温度 D:电池片温度

料筒温度的设定一般应()

A:喷嘴温度略低于料筒均化段温度 B:从料斗向喷嘴方向逐步升高 C:压缩段应达到物料熔融温度 D:均化段温度最高 E:进料口低于物料玻璃化温度

迥焊炉的温度设定按下列何种方法来设定()。

A:固定温度数据 B:利用测温器量出适用之温度 C:根据前一工令设定 D:可依经验来调整温度

在正常的工作条件下,设定的受压元件的金属温度称为压力容器的( )。

A:设计温度 B:使用温度 C:试验温度 D:标准温度

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