真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作

真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括

A:预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间 B:预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 C:现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 D:现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 E:现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

PCR基因扩增仪的温度控制主要是指（）

A:温度的准确性控制 B:温度的均一性控制 C:退火温度控制 D:升降温速度控制 E:延伸温度控制

引物的退火温度与解链温度（Tm）的关系通常是（）。

A:退火温度比Tm高5℃～10℃ B:退火温度比Tm低5℃～10℃ C:退火温度比Tm低10℃～15℃ D:退火温度比Tm高15℃～20℃ E:退火温度比Tm低15℃～20℃

下列退火方式中温度最高的是（）

A:完全退火 B:不完全退火 C:球化退火 D:均匀化退火

对亚共析钢进行完全退火，其退火温度应为（）

A:低于Ac1温度 B:高于Ac1温度而低于Ac3温度 C:等于Ac3温度 D:Ac3+30至50度

注塑制品进行退火处理时，退火温度一般控制在塑料的（）。

A:使用温度以上10-20℃，热变形温度以下10-20℃ B:与A相反 C:使用环境温度以下即可 D:热变形温度以上即可

以下关于退火温度的说法正确的是（）

A:退火处理温度应该在Tg~Tf间或0.8Tm左右 B:为了促进高分子链段的松驰，应采用较高的温度 C:退火处理温度应控制在制品使用温度以上10~20℃ D:退火处理温度应低于塑料的热变形温度10~20℃ E:退火处理时可以尽量选用较高的温度以提高退火处理的效率