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口腔医学技术(中级)
口腔正畸学(A1/A2型题 2)
口腔正畸学(A1/A2型题 2)
更新时间:2016-05-17 16:41:07
类别:口腔医学技术(中级)
1、
多根牙的抗力中心在
2、
Ⅱ度深覆是指上前牙牙冠覆盖下前牙牙冠的
3、
戴用平面导板矫治器前牙咬在导板上时后牙离开5~6mm
4、
舌习惯矫治器舌刺,在息止颌位时应延伸至
5、
Bionator功能矫治器的组成
6、
改良生物调节器就位后磨牙区应打开
7、
反解除后双侧垫每次应磨除
8、
方丝弓矫治器最主要的特点是
9、
Begg矫治技术第一期最重要的矫治目标是
10、
关于扩弓螺旋器,说法错误的是
11、
弯制活动矫治器的双曲唇弓常用
12、
弯制活动矫治器的邻间钩常用
13、
弯制活动矫治器分裂簧常用
14、
平面导板矫治器下前牙咬在导板上时后牙应离开
15、
上颌斜面导板矫治器的导板与平面呈
16、
关于上颌平面导板矫治器,叙述错误的是
17、
使用activator治疗时下颌每前移1mm可以产生
18、
关于FR-Ⅲ矫正器,叙述错误的是
19、
关于FR-Ⅲ矫正器,叙述正确的是
20、
Begg矫治器带环颊面管的长度为
21、
弯制口外弓的外弓用
22、
J形钩的弯制用
23、
Crozat矫治器的舌弓一般用
24、
安氏错分类法的提出是在
25、
关于正畸牙根吸收,叙述正确的是
26、
标准方丝弓矫正器关闭间隙采用
27、
ICP又称为
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