除气、氧化的目的是

A:低于体瓷烧结温度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面

用釉粉上釉的烧结温度是

A:低于体瓷烧结温度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面

用釉粉上釉的烧结温度是

A:低于体瓷烧结愠度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面

自身釉烧结的温度是

A:低于体瓷烧结愠度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面

自身釉烧结的温度是（）。

A:低于体瓷烧结温度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面

除气、氧化的方法是（）。

A:低于体瓷烧结温度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面

除气、氧化的方法是

A:低于体瓷烧结愠度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面

自身釉烧结的温度是

A:低于体瓷烧结愠度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面