上釉的烧结温度是

A:低于体瓷烧结温度5℃ B:低于体瓷烧结温度10℃ C:高于体瓷烧结温度5℃ D:高于体瓷烧结温度10℃ E:以上均不正确

自身釉烧结的温度是

A:低于体瓷烧结温度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面

烧结温度是指烧结料层中某一点达到的（）。

A:点火温度 B:最高温度 C:平均温度

蜡的软化温度是指（）

A:熔点温度 B:熔点范围 C:沸点 D:特定的软化点温度 E:凝固点温度

自身釉烧结的温度是（）。

A:低于体瓷烧结温度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面

上釉的烧结温度是（）

A:低于体瓷烧结温度5℃ B:低于体瓷烧结温度10℃ C:高于体瓷烧结温度5℃ D:高于体瓷烧结温度10℃ E:以上均不正确

自身釉烧结的温度是

A:低于体瓷烧结愠度6～8℃ B:高于体瓷烧结温度10℃ C:高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D:形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 E:防止磨料成分污染金属表面