当可控硅导通后，下列（）说法是正确的。

A:电流逐步达到饱和值 B:去掉控制极电压，可控硅将截止 C:可控硅导通后，控制极将失去作用 D:将阳极电流减小到一定值时，可使可控硅截止 E:当阳极和阴极间加一反向电压，可使可控硅截止

可控硅导通和截止两个工作状态和（）等因素有关。

A:阳极电压 B:阳极电流 C:可控硅内阻 D:控制极电流 E:阴极电流

如果可控硅导通后，下列说法中正确的有（）。

A:电流迅速达到饱和值 B:去掉控制极电压，可控硅将截止 C:控制极失去作用 D:将阳极电流减小到一定值时，可使可控硅截止 E:当阳极和阴极间加一反向电压，可使可控硅截止

GTO与可控硅的主要区别是（）

A:GTO没有控制极 B:可控硅电流大 C:可控硅在没导通前，控制极不起作用 D:GTO为可关断的可控硅

可控硅整流装置是靠改变（）来改变输出电压的。

A:交流电源电压 B:输出直流电流 C:可控硅触发控制角 D:负载大小

AVR装置可控硅整流调压，改变电压的方法是（）。

A:控制可控硅的开放角 B:改变电源变压器的变比 C:改变电位器的触点

可控硅整流电路输出值的改变是通过（）来实现的。

A:调节可控硅导通角 B:调节触发电压大小 C:调节阳极电压的大小 D:调节限流电阻

可控硅导通以后，流过可控硅的电流决定于（）。

A:外电路的负载 B:可控硅的通态平均电流 C:可控硅A～K之间的电压 D:触发电压

电除尘整流柜内可控硅或可控硅保护元件击穿，是因为（）。

A:阻容吸收元件损坏 B:阻容吸收原件损坏，可控硅质量不良或安装不好 C:可控硅质量不良或安装不好 D:可控硅质量虽不良但安装正常