简述硼和磷的退火特性。

简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？

简述RTP在集成电路制造中的常见应用。

对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？

物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。

热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。

常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理和特点。

下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。

对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。