硅外延片的应用包括（）。

A:二极管和三极管 B:电力电子器件 C:大规模集成电路 D:超大规模集成电路

离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

A:能量 B:剂量

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

A:能量 B:剂量

从离子源引出的是：（）

A:原子束 B:分子束 C:中子束 D:离子束

恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）

A:高斯函数 B:余误差函数 C:指数函数 D:线性函数

在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）

A:干氧 B:湿氧 C:水汽氧化 D:不能确定哪个使用的时间长

Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.

A:碱性 B:酸性 C:中性

二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。

A:预 B:再 C:选择

介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。

A:多晶硅 B:氮化硅 C:二氧化硅

光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

A:刻制图形 B:绘制图形 C:制作图形