流式细胞术实现了从分子和单细胞水平上获取多种信号对细胞进行定量分析或纯化分选。其基本分析参数主要包括各种荧光素,前向散射光,侧向散射光,单参数直方图和多参数散点图等。

双参数散点图的理解中错误的是

A:该图的横,纵坐标多采用线性 B:该图是一种细胞数与双测量参数的图形 C:纵坐标与横坐标分别代表被测细胞的两个测定参数 D:最常用点密图显示，将双信号参数叠加 E:该图的横,纵坐标多采用对数

流式细胞术实现了从分子和单细胞水平上获取多种信号对细胞进行定量分析或纯化分选。其基本分析参数主要包括各种荧光素,前向散射光,侧向散射光,单参数直方图和多参数散点图等。

单参数直方图是

A:能显示两个独立的参数与细胞的关系 B:通过十字门进行测定 C:只能表明一个参数与细胞数量的关系 D:只能用于定性资料的分析 E:不仅用于结果分析，还可用于进行荧光补偿

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作

真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括

A:预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间 B:预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 C:现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 D:现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 E:现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作

在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是

A:31～40℃ B:21～30℃ C:10℃以内 D:11～20℃ E:5℃

华为系统中，数据配置提供设备参数配置、查询、备分的功能，包括（）

A:基站硬件配置 B:时钟参数配置 C:算法参数配置 D:射频参数配置

在进行动态数据配置操作之前，必须参考下列哪个文档，来获取具体参数对设备和网络的影响级别，以决定参数设定的操作时间。（）

A:《工程参数总表》 B:《产品配置手册》 C:《网优数据配置规范》 D:《GSM网络优化参数级别分类》

下面和随机接入相关的哪些参数是可以通过网络侧进行配置的：（）

A:前导和消息部分的功率偏置PowerOffsetPpm； B:功率攀升因子Power_Ramp_Step； C:前缀码最大重传次数Preamble_Retrans_Max； D:小区的接入服务类ASC；

站内切换需配置的参数包括（）

A:S1偶联配置 B:X2偶联配置 C:邻区配置 D:测量参数配置 E:小区测量配置 F:小区配置

关于用LMT配置SCTP参数的描述正确的是：（）

A:配置SCTP参数前，则须先配置IP参数 B:SCTP参数最多只能配置32条记录 C:本端IP地址和远端IP地址必须是一一对应的 D:当本端IP地址值为255时，代表该地址无效

SI参数设置包括配置（）等参数。

A:基站时钟 B:O&M参数 C:IUB接口参数 D:设备参数