透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动，负电子跑向偏压的正极，正电子跑向偏压的负极，于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比，这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元，即像素。每个像素区内有一个场效应管，在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下，开关导通，把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D转换器，从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。

场效应管的作用是

A:产生电荷 B:存储电荷 C:开关 D:A/D转换 E:放大

X线的产生原理是高速电子和靶物质相互作用的结果。在真空条件下高千伏的电场产生的高速电子流与靶物质的原子核和内层轨道电子作用，分别产生了连续X线和特征X线。高速电子和靶物质相互作用过程中，将会发生碰撞损失和辐射损失，最终高速电子的动能变为辐射能、电离能和热能。三种能量的比例随入射电子能量的变化和靶物质性质的差别而不同。影响连续X线产生的因素包括X线管靶面物质、管电压、管电流以及__波形。

关于连续X线的叙述，错误的是

A:具有各种能量 B:最短波长只与管电压有关 C:也叫轫致辐射 D:是电子与原子核作用的结果 E:是轨道电子跃迁产生的

影响连续X线产生的因素包括X线管靶面物质、管电压、管电流以及__波形。

关于连续X线的影响因素，叙述错误的是

A:强度与靶物质的原子序数成正比 B:不同靶物质的X线谱高能端重合 C:X线谱的最大光子能量只与管电压有关，与靶物质无关 D:不同靶物质的X线谱低能端重合 E:靶物质的原子序数越大，X线强度越小

影响连续X线产生的因素包括X线管靶面物质、管电压、管电流以及__波形。

管电压对连续X线的影响正确的是

A:强度I与管电压(kV)的，n次方成反比 B:管电压升高，最短波长变长 C:管电压升高，最大强度所对应的波长向长波方向移动 D:最大光子能量等于高速电子碰撞靶物质的动能 E:强度与管电压无关

单一连续分区存储管理时，若作业地址空间大于用户空间，可用______把不同时工作的段轮流装入主存区执行。

A:虚拟存储技术 B:交换技术 C:覆盖技术 D:移动技术

存储管理方案中，可采用覆盖技术的是( )。

A:单一连续区存储管 B:可变分区存储管理 C:段式存储管 D:段页式存储管理

在下列存储管理方式中，( )可以采用覆盖技术。

A:单一连续分配 B:可变分区存储管理 C:段式存储管 D:段页式存储管理

存储管理方案中，可采用覆盖技术的是( )。

A:单一连续区存储管 B:可变分区存储管理 C:段式存储管 D:段页式存储管理