流式细胞术实现了从分子和单细胞水平上获取多种信号对细胞进行定量分析或纯化分选。其基本分析参数主要包括各种荧光素,前向散射光,侧向散射光,单参数直方图和多参数散点图等。

双参数散点图的理解中错误的是

A:该图的横,纵坐标多采用线性 B:该图是一种细胞数与双测量参数的图形 C:纵坐标与横坐标分别代表被测细胞的两个测定参数 D:最常用点密图显示，将双信号参数叠加 E:该图的横,纵坐标多采用对数

流式细胞术实现了从分子和单细胞水平上获取多种信号对细胞进行定量分析或纯化分选。其基本分析参数主要包括各种荧光素,前向散射光,侧向散射光,单参数直方图和多参数散点图等。

单参数直方图是

A:能显示两个独立的参数与细胞的关系 B:通过十字门进行测定 C:只能表明一个参数与细胞数量的关系 D:只能用于定性资料的分析 E:不仅用于结果分析，还可用于进行荧光补偿

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作

真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括

A:预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间 B:预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 C:现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 D:现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 E:现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作

在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是

A:31～40℃ B:21～30℃ C:10℃以内 D:11～20℃ E:5℃

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作

在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是

A:烤瓷失败 B:烤瓷失败，烤瓷件报废 C:烤瓷件与炉膛内壁发生粘连 D:炉膛报废 E:发热体损坏

核心账务系统公共控制子系统中的系统参数模块可对系统所需使用的基本参数进行（）

A:定义 B:维护 C:修改 D:控制

参数REMOTE_LOGIN_PASSWORDFILE在Oracle数据库实例的初始化参数文件中，此参数控制着密码文件的使用及其状态，以下说法正确的是：（）

A:NONE：只是Oracle系统不使用密码文件，不允许远程管理数据库 B:EXCLUSIVE：指示只有一个数据库实例可以使用密码文件 C:SHARED：指示可有多个数据库实例可以使用密码文件 D:以上说法都正确

（）是指微机对生产过程中的有关参数进行控制。

A:启动控制 B:顺序控制 C:数值控制 D:参数控制

流水施工使用的各项参数包括( )。

A:时间参数 B:工艺参数 C:空间参数 D:组织参数 E:经济参数

流水施工中使用的各项参数包括（）。

A:时间参数 B:工艺参数 C:空间参数 D:工作持续时间与流水节拍参数 E:流水步距参数