结型场效应晶体管根据结构不同分为（）

A:P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B:P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管 C:N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 D:N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）

A:P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B:增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管 C:N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 D:N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

带阻晶体管即（）。

A:带有一个或两个电阻的晶体管 B:具有电阻特性的晶体管

晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。

A:NPN型晶体管； B:PNP型晶体管； C:硅管； D:锗管。

绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。

A:晶闸管 B:单结晶体管 C:电力场效应管 D:电力晶体管和电力场效应管

双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。

A:均为电压控制 B:均为电流控制 C:双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制 D:双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制

晶体管的开关时间是指（）。

A:开通时间 B:关闭时间 C:开通时间与关闭时间的总称 D:晶体管的存储时间

晶体管型继电器的执行元件是：（）。

A:灵敏继电器 B:晶体管触发器 C:干簧继电器 D:极化继电器

PWM型晶体管调压器的调压方法是（）。

A:改变晶体管开关的频率 B:改变晶体管导通的时间 C:改变晶体管的电阻大小 D:改变晶体管的放大倍数

晶体管调压器中，晶体管的导通比指的是：（）.

A:晶体管的相对导通时间 B:晶体管的导通时间 C:晶体管的截止时间 D:晶体管的相对截止时间