真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作

真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括

A:预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间 B:预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 C:现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 D:现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间 E:现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

能够提高转化炉入口温度的方法是（）

A:提高水碳比 B:降低炉膛负压 C:增大反应空速 D:投用烟道火嘴

不能提高合成副产蒸汽温度的方法是（）。

A:关闭工艺气旁路 B:打开工艺气旁路 C:提高合成塔出口温度 D:打开蒸汽温度调节阀

不能提高合成副产蒸汽温度方法是（）。

A:关闭工艺气旁路 B:打开工艺气旁路 C:提高合成塔出口温度 D:打开蒸汽温度调节阀

提高原料渣油温度可以（）氧油比。

A:提高 B:不改变 C:降低 D:无法确定

提高C201进料温度可以（）

A:提高C201底温 B:稍关TV3303温控阀 C:加大低分甩油量 D:减小C201回流量

提高异构化反应温度和压力的目的是（）。

A:提高EB的平衡转化率 B:提高PX的异构化率 C:提高PX的平衡转化率 D:提高乙苯转化率

提高异构化反应温度的目的是（）。

A:提高EB的平衡转化率 B:提高PX的平衡转化率 C:提高PX的转化率 D:提高乙苯转化率

风温提高后，炉缸理论燃烧温度提高，炉顶温度（）。

A:提高 B:降低 C:不变 D:大幅度提高

提高循环热效率的途径是：（）低温热源的温度，（）高温热源的温度。

A:提高／提高 B:提高／降低 C:降低／提高 D:降低／降低