患者男，40岁，缺失，要求做PFM桥修复，为基牙

PFM桥的桥体制作中下列哪项是错误的

A:桥体在满足强度的情况下尽量缩小 B:尽量制作成瓷龈底 C:金-瓷结合部离开牙槽嵴黏膜区 D:上颌磨牙桥体舌面应制作成能承受力的形式 E:金-瓷结合部靠近牙槽嵴黏膜区

PFM桥的桥体是恢复缺失牙形态,功能,美观的人造牙部分。决定桥体形态的因素包括美观,发音功能,面形态以及基底面形态的恢复

桥体制作中保护基牙的健康,减少力的措施除外

A:减小桥体的颊舌径宽度 B:加大外展隙 C:降低牙尖高度 D:桥体与黏膜接触部尽量用瓷 E:加深面的沟槽

患者男，40岁，缺失，要求做PFM桥修复，为基牙

PFM桥的桥体制作中下列哪项是错误的

A:桥体在满足强度的情况下尽量缩小 B:尽量制作成瓷龈底 C:金-瓷结合部离开牙槽嵴黏膜区 D:上颌磨牙桥体舌面应制作成能承受力的形式 E:金-瓷结合部靠近牙槽嵴黏膜区

PFM桥的桥体是恢复缺失牙形态,功能,美观的人造牙部分。决定桥体形态的因素包括美观,发音功能,面形态以及基底面形态的恢复

桥体制作中保护基牙的健康,减少力的措施除外

A:减小桥体的颊舌径宽度 B:加大外展隙 C:降低牙尖高度 D:桥体与黏膜接触部尽量用瓷 E:加深面的沟槽

患者男，40岁，缺失，要求做PFM桥修复，为基牙

PFM桥的桥体制作中下列哪项是错误的

A:桥体在满足强度的情况下尽量缩小 B:尽量制作成瓷龈底 C:金-瓷结合部离开牙槽嵴黏膜区 D:上颌磨牙桥体舌面应制作成能承受力的形式 E:金-瓷结合部靠近牙槽嵴黏膜区

某女性患者，43岁，缺失。缺牙区牙槽嵴吸收严重，且不平整，基牙条件尚可，医师设计全自洁型桥体式金属全冠桥修复

全自洁型桥体是指

A:桥体龈底的颊侧与牙槽嵴接触 B:桥体的龈底与牙槽嵴顶小面接触 C:桥体的龈底与牙槽嵴呈"T"型接触 D:桥体的龈底与牙槽嵴呈鞍基式接触 E:桥体的龈底与牙槽嵴不接触

对于三相桥式整流电路，其输出直流电流为Id，则流过每个整流元件电流的平均值为（）。

A:1／2Id； B:0.577Id； C:0.817Id； D:1／3Id。

三相桥式整流电路，其输出直流电流为Id，流过每个整流元件电流的有效值为（）。

A:0.817Id； B:0.577Id； C:1／3Id； D:2／3Id。

STP协议中的网桥ID包含两个部分内容，分别是（）.

A:网桥的优先级 B:网桥的端口ID C:网桥的MAC地址 D:网桥的IP地址

三相全控桥式整流电路带大电感负载（无续流二极管），当负载上的电流有效值为Id时，流过每个晶闸管的电流有效值及平均值为（）。

A:0.707Id B:0.577Id C:0.333Id D:0167Id E:0.866Id