MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？

题库:集成电路技术 类型:简答题 时间:2017-06-23 18:42:58 免费下载:《集成电路技术综合练习》Word试卷

MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？

本题关键词:漏电开关,管电压,电极漏电量,照明电源电压,直流电源电压,低压配电电压,中压配电电压,__配电电压,供电电压,送电电压;