集成电路技术综合练习

• 151、

  进一步提高MESFET性能的措施是什么？

• 152、

  高电子迁移率晶体管（HEMT）速度高的主要原因是什么？

• 153、

  二维电子气是如何形成的？

• 154、

  亚微米、深亚微米和纳米的具体范围是多少？

• 155、

  什么情况下器件的栅极通常要考虑采用蘑菇型即T型栅极？

• 156、

  什么是赝晶或赝配HEMT？

• 157、

  由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展？

• 158、

  HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因？它的主要应用领域是什么？

• 159、

  与Si三极管相比，MESFET和HEMT存在哪些缺点？

• 160、

  MOS工艺包括有哪几种？MOS工艺的重要参数是什么？什么是特征尺寸？

• 161、

  铝栅MOS工艺的缺点是什么？

• 162、

  铝栅重叠设计方法虽然可解决铝栅MOS工艺的缺点，但还存在哪些缺点？

• 163、

  什么是自对准技术？

• 164、

  硅栅工艺有哪些优点？

• 165、

  为什么NMOS工艺优于PMOS工艺？

• 166、

  FET的不同分类方法有哪些？

• 167、

  CMOS工艺是如何在一种衬底材料上实现不同类型场效应晶体管的？阱有几种类型？每种类型可制作什么类型的

• 168、

  CMOS包括哪几种具体工艺？

• 169、

  什么是BiCMOS？BiCMOS的特点是什么？

• 170、

  BiCMOS有几种类型？每种类型有什么特点？

• 171、

  哪种BiCMOS工艺用的较多？为什么？

• 172、

  以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点？

• 173、

  以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺有哪些优缺点？

• 174、

  集成电路中，有源器件是指哪些种类的晶体管？

• 175、

  什么是CMOS工艺？

• 176、

  MOS管的实际组成是什么？基本参数是什么？

• 177、

  为什么说MOS电容的组成复杂？

• 178、

  按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？

• 179、

  什么是MOS管的体效应？

• 180、

  阈值电压VT与衬底掺杂浓度是什么关系？采取什么方式或手段以调整VT大小？影响VT的其它因素有哪些？

• 181、

  MOS管的哪些参数随温度变化？如何变化？

• 182、

  MOS管的主要噪声是什么？分别是如何产生的？如何减小？

• 183、

  MOS管尺寸缩小对器件性能有哪些影响？

• 184、

  降低VT的措施有哪些？

• 185、

  阈值电压VT的功能是什么？

• 186、

  MOS管的动态特性是什么？受哪些因素影响？尺寸缩小对动态特性的影响是什么？

• 187、

  采用恒电场缩减方案，缩减因子为α时的优点是什么？

• 188、

  按比例缩小的三种方案是什么？

• 189、

  器件二阶效应的主要表现有哪些？

• 190、

  器件产生二阶效应的原因有哪些？

• 191、

  建立器件模型的目的是什么？

• 192、

  建立器件模型的方法有哪些？各有什么特点？

• 193、

  SPICE模型是如何建立的？其优缺点是什么？

• 194、

  比较常见的其它版本的仿真软件有哪些？哪些公司开发的Spice最为著名？

• 195、

  SPICE最初是由谁开发的？何时成为美国国家工业标准的？主要用于哪方面？

• 196、

  集成电路中的无源器件有哪些？

• 197、

  各种互连线设计应注意哪些方面？

• 198、

  集成电路中形成电阻有几种方式？各种电阻有什么特点？

• 199、

  用MOS管作有源电阻，器件工作在什么状态？

• 200、

  什么是有源电阻？哪些器件可担当有源电阻？

• 201、

  集成电路中集总电感有几种形式？

• 202、

  提高电感品质因数的措施有哪些？

• 203、

  用传输线作电感的条件是什么？

• 204、

  传输线的主要功能是什么？

• 205、

  集成电路设计中的分布元件主要指哪些？

• 206、

  微带线设计时需要的电参数主要有哪些？

• 207、

  形成微带线的基本条件是什么？

• 208、

  相对于微带线，CPW的优缺点是什么？

• 209、

  二极管的噪声模型中有哪些噪声？

• 210、

  双极型晶体管的EM模型是由谁于哪一年提出的？

• 211、

  双极型晶体管的GP模型是由谁于哪一年提出的？

• 212、

  美国加州伯克利分校在20世纪70年代末推出的SPICE软件中包含的三个内建MOS场效应管模型是什么？

• 213、

  基于物理的深亚微米MOSFET模型考虑了哪些内容？

• 214、

  集成电路版图包含了哪些信息数据？

• 215、

  版图与掩模有什么关系？

• 216、

  什么是集成电路版图？

• 217、

  举例说明集成电路版图设计软件有哪些？

• 218、

  画版图时所给出的工艺层与芯片制造时所需要的掩模层有什么关系？

• 219、

  设计规则是由谁提供的？

• 220、

  为什么要求设计者在版图设计时必须遵循一定的设计规则？

• 221、

  集成电路版图上的基本图形通常是什么？

• 222、

  什么是图元？

• 223、

  图元与元件有什么区别？

• 224、

  MOS管是图元之一，它的可变参数有哪些？

• 225、

  在集成电路设计过程中，经常会遇到多个晶体管串联或并联的情况。说明串联和并联如何连接？

• 226、

  方块电阻的含义是什么？

• 227、

  常用的集成电阻有哪些？

• 228、

  为了形成具有一定阻值的多晶硅电阻，对多晶硅的掺杂有何要求？

• 229、

  阱电阻在什么情况下呈非线性？

• 230、

  为什么用阱可实现大阻值电阻？

• 231、

  MOS管电阻具有什么特点？

• 232、

  MOS电容的大小取决于哪些参数？

• 233、

  常用的集成电容有哪些？

• 234、

  寄生PNP三极管有什么特点？

• 235、

  为什么设计者在设计高频数字电路、高性能模拟电路以及所有的射频电路时还应掌握一定的版图设计准则？

• 236、

  为什么同一芯片上的集成元件可以达到比较高的匹配精度？

• 237、

  如何减小随机失配？元器件的随机失配原因有哪些？

• 238、

  什么是随机失配？

• 239、

  为了降低系统失配，在版图设计时可采取哪些技术？

• 240、

  为什么通常都将“哑”单元连接到某一个固定电势而不悬空？

• 241、

  采用公用重心设计法使匹配器件完全不会受到梯度影响的条件是什么？

• 242、

  采用版图匹配设计技术后可提高元器件的匹配性能，但会带来哪些不利因素？

• 243、

  为什么数字模块和模拟模块在同一衬底上实现容易产生数字模块干扰模拟模块？

• 244、

  解决数模信号之间串扰的措施有哪些？

• 245、

  “干净”的地是什么样地？

• 246、

  为什么在敏感模拟信号线周围插入了接地的同层金属线就可防止电磁干扰？

• 247、

  采用屏蔽技术会带来哪些缺点？

• 248、

  通过滤波电容进行抗干扰，滤波电容一般加在哪些地方？

• 249、

  在集成电路芯片中，寄生效应会降低电路的哪些性能？

• 250、

  对于晶体管来说，降低寄生效应的版图设计技术有哪些？

• 251、

  对于接触孔进行寄生优化的措施是什么？

• 252、

  芯片的可靠性问题一般指哪些？

• 253、

  什么是天线效应？

• 254、

  什么是Latch-Up效应？

• 255、

  什么是静电放电过程（ESD）？

• 256、

  集成电路中的什么部位最需要ESD防护？

• 257、

  为什么说ESD防护电路的设计是集成电路设计中一个非常重要的问题？

• 258、

  电学设计规则与几何设计规则的区别是什么？

• 259、

  电学设计规则的作用是什么？

• 260、

  Cadence公司的EDA产品有哪些功能？

• 261、

  一个完整的全定制设计环境包含哪些部分？

• 262、

  一个设计一般需要Cadence中的哪些工具？

• 263、

  在正式用Cadence画版图之前要先构思或想一想哪些问题？

• 264、

  对于差分形式的电路结构在版图布局时一般注意哪些问题？

• 265、

  为什么一般都将输入和输出分别布置在芯片两端？

• 266、

  什么是“电徙”效应？

• 267、

  什么是裸片？

• 268、

  在晶圆上（On-wafer）或在芯片上（On-Chip）测试有什么优点？

• 269、

  在晶圆或在芯片测试需要什么条件？

• 270、

  基本的芯片测试台由哪几部分组成？

• 271、

  通过什么工具与芯片上的焊盘（Pad）相接触？

• 272、

  探头有哪些类型？它的主要特性是什么？

• 273、

  芯片封装的载体通常有哪些？

• 274、

  利用导体作为芯片封装的载体有什么优点？

• 275、

  对于低速ICs，可用的标准封装载体主要有哪些？

• 276、

  什么是芯片键合？

• 277、

  集成电路封装工艺流程有哪些？

• 278、

  利用金（铝）丝进行绑定的缺点是什么？

• 279、

  什么技术可以最大限度地减小由引线产生的寄生电感？对哪些电路最具吸引力？

• 280、

  倒装式连接技术的优点有哪些？

• 281、

  利用什么进行绑定是最简单和最容易实现的技术？

• 282、

  为什么对于高速和微波ICs常采用黄铜板块为基座进行封装？

• 283、

  什么是混合集成？

• 284、

  什么是微组装技术？

• 285、

  什么是多芯片组件CMC技术？

• 286、

  在高频和超高速微组装设计过程中必须要考虑哪些问题？

• 287、

  可测试性的3个重要方面是什么？每一种的含义是什么？

• 288、

  什么是数字电路的完全测试和功能测试？

• 289、

  何时需要考虑进行完全测试和功能测试？

• 290、

  集成电路按电路规模可以分为哪些？

• 291、

  晶向指数表示什么？

• 292、

  物理气相淀积主要有哪三种技术？

• 293、

  化学气象淀积是什么？

• 294、

  从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？

• 295、

  光刻工艺分为哪些步骤？

• 296、

  掺杂是什么意思？有哪些常见的技术？

• 297、

  金属布线按照在集成电路中的作用可以分为哪些？

• 298、

  Mold材料有哪几种？目前最常用的是哪种？

• 299、

  溅射法的含义是什么？

• 300、

  集成电路常用的材料有哪些？分别举例。