侧墙用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。

题库:集成电路技术 类型:判断题 时间:2017-06-23 18:42:57 免费下载:《集成电路工艺原理》Word试卷

侧墙用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。

侧墙用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。

本题关键词:多通道地漏,泄漏源,能量来源,穿囊漏,泄漏源控制,幕墙渗漏,能源耗用量,来源渠道,管道泄漏,可再生能源利用形式;

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