兴奋性突触后电位的形成主要是由于

A:Na和Cl内流 B:Ca内流和K外流 C:Na和（或）Ca内流 D:K外流和Cl内流 E:Ca内流和Cl内流

与兴奋性突触后电位形成有关的离子是

A:K,Na，尤其是Na B:K,Na,Cl，尤其是Cl C:K,Na，尤其是K D:Ca,K,Cl，尤其是K E:K,Cl，尤其是Cl

对氟喹诺酮类最敏感的是

A:G杆菌 B:厌氧菌 C:G球菌 D:G球菌 E:G杆菌

巴比妥类药物的作用机制为

A:抑制神经元放电 B:与γ-氨基丁酸受体结合，促进γ-氨基丁酸的作用 C:控制Cl通道的开放频率 D:促进中枢神经系统γ-氨基丁酸的释放 E:激动γ-氨基丁酸受体，延长Cl通道开放时间而增强Cl内流，产生抑制效应

抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括

A:Na，K，尤其是K B:Ca，Cl，尤其是Ca C:Na，Cl，尤其是Na D:K，Cl，尤其是Cl E:K，Ca，Na，尤其是Ca

苯二氮类药物的作用机制是( )

A:增强GABA能神经元的抑制效应 B:抑制Cl通道开放 C:抑制GABA与GABAA受体结合 D:使Cl内流减少 E:使Cl通道开放的频率减少

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位

A:Ca,K,Cl，尤其是Ca B:K,Cl，尤其是Cl C:Na,Cl,K，尤其是K D:Na,Cl,K尤其是Na E:K，Ca，Na，尤其是Ca

正中咬合时，上颌第一磨牙的近中颊尖咬于下颌第一磨牙与第二磨牙之间称为（）

A:近中错 B:远中错 C:锁 D:正中 E:深覆

女，50岁，戴全口义齿后经常咬舌缘，其原因最可能是（）

A:反覆 B:反覆盖小 C:反覆 D:反覆盖过大 E:以上都不对