其他材料

• 1001、

  玻璃的折射率随入射光波长的变化而变化的现象即为玻璃的（）

• 1002、

  影响玻璃折射率的因素主要有三个，但不包括（）。

• 1003、

  （）阶段水解反应很慢，又称静止期或潜伏期。一般维持2~4小时，是硅酸盐水泥能在几小时内保持塑性的原因

• 1004、

  （）用于成型大型的结构复杂的薄壁制品。

• 1005、

  水热法是（）反应，反映在高温__下，以水为介质进行的化学反应。

• 1006、

  （）是指对环境具有可感知，可自应并具有功能发现能力的新材料

• 1007、

  材料开发的历史是结构材料——功能材料——（）

• 1008、

  复合材料的（）是其区别于传统材料的根本特点之一

• 1009、

  二水石膏在800-1000℃下煅烧，所得高温燃烧石膏磨成细粉即成为（）

• 1010、

  氯氧镁水泥也称（）

• 1011、

  石灰的水化又称（）是指生石灰与水发生水化反映生成氢氧化钙的过程

• 1012、

  （）是指水泥的一种不正常的早期固化或过早变硬现象，水泥加水几分钟内就凝结，同时发出大量的热，再搅拌也

• 1013、

  水泥强度通常分（）三种

• 1014、

  FGM是指（）

• 1015、

  玻璃制品退火分（）个阶段

• 1016、

  （）是指在玻璃熔化的高温阶段能分解或汽化并放出气体，从而促进玻璃液中的可见气泡排除，加速玻璃液澄清过

• 1017、

  石膏在水泥中的作用？

• 1018、

  陶瓷坯料组成设计的依据有哪些？

• 1019、

  陶瓷制品开裂的主要原因？

• 1020、

  无机非金属材料生产过程中的共性？

• 1021、

  水泥体积安定性的影响因素？

• 1022、

  硅酸三钙的水化过程？

• 1023、

  陶瓷压制坯料应满足哪些要求？

• 1024、

  SiO2 在典型无机非金属材料中的作用？

• 1025、

  玻璃熔制过程的影响因素？

• 1026、

  黏土原料的工艺性质有哪些？

• 1027、

  实际生产应用中，为何常对工业氧化铝预烧后使用？

• 1028、

  设计陶瓷配方的依据？

• 1029、

  水泥熟料急速冷却的优点？

• 1030、

  玻璃浮法成型的原理？

• 1031、

  陶瓷注浆坯料应满足哪些要求？

• 1032、

  水泥熟料贮存处理的目的？

• 1033、

  陶瓷坯体在烧成过程中的物理化学变化？

• 1034、

  硅酸盐水泥水化的水化过程

• 1035、

  在陶瓷坯体的烧成过程中为什么要控制气氛？

• 1036、

  硅酸盐水泥的水化分为几个阶段？

• 1037、

  生产低热硅酸盐水泥的矿物组成应如何调整？

• 1038、

  硅酸盐水泥熟料快速冷却的作用？

• 1039、

  生产普通陶瓷的主要原料及其作用？

• 1040、

  设计玻璃组成应注意的原则？

• 1041、

  无机非金属材料在热加工过程中，通常存在哪些过程？

• 1042、

  水泥熟料急速冷却的优点有哪些？

• 1043、

  有一瓶罐玻璃生产厂欲提高玻璃的化学稳定性、提高机速，对配比应做如何调整？为什么？

• 1044、

  硅酸盐水泥熟料烧成后要进行冷却的目的是什么？为何生产实践中要采用急速冷却？

• 1045、

  无机非金属材料与金属材料在性能上有那些不同？试分析其原因？

• 1046、

  简述玻璃熔化过程的各个阶段及其特点？

• 1047、

  在硅酸盐水泥生产中，当氧化钙含量变化时，对煅烧和矿物形成有何影响？

• 1048、

  陶瓷厂在采用注浆成型时，对坯料有何要求？

• 1049、

  普通平板玻璃的主要组成成分及其作用？

• 1050、

  简述钙质原料在典型无机非金属材料中的作用？

• 1051、

  在硅酸盐水泥生产中，当 KH变化时，对煅烧和矿物形成有何影响？

• 1052、

  简述水泥生料在煅烧过程中的物理化学变化？

• 1053、

  简述普通平板玻璃的主要组成成分及其作用？

• 1054、

  简述影响玻璃化学稳定性的因素？

• 1055、

  简述如何选择陶瓷的成方法？

• 1056、

  简述影响碳酸钙分解速度的因素。

• 1057、

  硅单质是（）

• 1058、

  只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是（）

• 1059、

  下列是晶体的是（）

• 1060、

  晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是（）

• 1061、

  在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在（）以上。

• 1062、

  对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）

• 1063、

  在工业生产中广泛用的是（）

• 1064、

  半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅

• 1065、

  硅片制备主要工艺流程是（）

• 1066、

  关于晶体下列说法错误的是（）

• 1067、

  如何从石英砂制取硅？说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是（）

• 1068、

  多晶硅的生产方法主要包含：（）1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西门子改良法5、冶金法6、气

• 1069、

  直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）

• 1070、

  正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）

• 1071、

  那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）

• 1072、

  属于晶体缺陷中面缺陷的是（）

• 1073、

  半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）

• 1074、

  用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

• 1075、

  单晶硅晶胞常数为0.543nm，则（111）的面间距是多少？（）

• 1076、

  简述光生伏特效应中正确的是（）

• 1077、

  属于晶体缺陷中面缺陷的是（）

• 1078、

  用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

• 1079、

  下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）

• 1080、

  那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）

• 1081、

  直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）

• 1082、

  多晶硅的生产方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4

• 1083、

  改良西门子法的显著特点不包括（）

• 1084、

  制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）

• 1085、

  铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（）

• 1086、

  铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）

• 1087、

  悬浮区熔的优点不包括（）

• 1088、

  CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（）

• 1089、

  热处理中氧沉淀的形态不包括（）

• 1090、

  可用作硅片的研磨材料是（）

• 1091、

  硅片抛光在原理上不可分为（）

• 1092、

  在光线作用下，能使物体产生一定方向的电动势的现象称（）

• 1093、

  光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的

• 1094、

  PN结的基本特性是（）

• 1095、

  下列哪个不是单晶常用的晶向（）

• 1096、

  下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）

• 1097、

  原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）

• 1098、

  影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效

• 1099、

  一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子

• 1100、

  对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/

• 1101、

  把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。

• 1102、

  载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。

• 1103、

  最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。

• 1104、

  表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；

• 1105、

  与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）

• 1106、

  如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。

• 1107、

  杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的

• 1108、

  如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。

• 1109、

  在通常情况下，GaN呈（）型结构。

• 1110、

  对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

• 1111、

  只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是（）。

• 1112、

  下列是晶体的是（）。