（）称为场频，也是刷新率。

A:水平刷新频率 B:垂直刷新频率 C:隔行扫描频率 D:逐行扫描频率

动态存储器DRAM的刷新原则是( )。

A:各DRAM芯片轮流刷新 B:各DRAM芯片同时刷新，片内逐位刷新 C:各DRAM芯片同时刷新，片内逐字刷新 D:各DRAM芯片同时刷新，片内逐行刷新

在Intel 2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是( )

A:每次一个单元 B:每次刷新512个单元 C:每次刷新256个单元 D:一次刷新全部单元

在Intel 2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是( )

A:每次一个单元 B:每次刷新512个单元 C:每次刷新256个单元 D:一次刷新全部单元

在Intel 2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是( )

A:每次一个单元 B:每次刷新512个单元 C:每次刷新256个单元 D:一次刷新全部单元

在Intel 2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是( )

A:每次一个单元 B:每次刷新512个单元 C:每次刷新256个单元 D:一次刷新全部单元