抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。

A:Na+、Cl-、K+，尤其是K+ B:Ca2+K+、Cl-，尤其是Ca2+ C:Na+、K+，尤其是Na+ D:K+、Cl-，尤其是C1- E:K+、Cl-、Na+，尤其是Cl-

兴奋性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性升高所致（）

A:Cl-、K+，尤其是Cl- B:Cl-、Na+、K+，尤其是K+ C:Na+、K+、Cl-，尤其是Na+ D:Ca2+、Na+、K+，尤其是Ca2+

兴奋性突触后电位的形成，是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致（ ）

A:Na+、K+、Cl-，尤其是 K+ B:Na+、K+，尤其是 Na+ C:K+、Cl- ，尤其是Cl- D:K+、Cl-，尤其是K+ E:Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+

抑制性突触后电位的形成，是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致（ ）

A:Na+、K+、Cl- ，尤其是 K+ B:Na+、K+、Cl-，尤其是 Na+ C:K+、Cl- ，尤其是 Cl- D:K+、Cl-，尤其是 K+ E:Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+

EPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的

A:K+ 、Na + ，尤其是K + B:K+ 、Na + ，尤其是Na + C:K+ 、Na + 、Cl - ，尤其是Cl - D:Ca2+ ，K + 、Cl - ，尤其是K + E:K+ 、Cl -，尤其是Cl-

IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的

A:K+ 、Na + ，尤其是K + B:K+ 、Na + ，尤其是Na + C:Ca2+ 、K + 、Cl -，尤其是K+ D:K+ 、Cl -，尤其是Cl- E:Ca2+ 、Cl -，尤其是Ca2+

EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性： (　)

A:K+ 、Cl - ，尤其是Cl- B:K+ 、Cl -，尤其是K+ C:Na+ 、K + 、Cl - ，尤其是Na+ D:Na+ 、K + 、Ca2+ ，尤其是Na2+ E:Na+ 、K + 、Ca2+ ，尤其是Ca2+

IPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性： (　)

A:K+ 、Cl - ，尤其是Cl- B:K+ 、Cl -，尤其是K+ C:Na+ 、K + 、Cl - ，尤其是Na+ D:Na+ 、K + 、Ca2+ ，尤其是Na2+ E:Na+ 、K + 、Ca2+ ，尤其是Ca2+

EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性： (　)

A:K+ 、Cl -，尤其是 Cl- B:K + 、Cl - ，尤其是K+ C:Na + 、K + 、Cl -，尤其是Na+ D:Na+ 、K + 、Ca2+ ，尤其是Ca2+ E:Na + 、K + 、Ca2+ ，尤其是Na2+

IPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性： (　)

A:K+ 、Cl -，尤其是 Cl- B:K + 、Cl - ，尤其是K+ C:Na + 、K + 、Cl -，尤其是Na+ D:Na+ 、K + 、Ca2+ ，尤其是Ca2+ E:Na + 、K + 、Ca2+ ，尤其是Na2+