Ga炎症显像时采集条件是

A:高能准直器，能峰置于511keV，窗宽15% B:低能平行孔准直器，能峰置于140keV，窗宽20% C:低能平行孔准直器，能峰置于70keV和167keV，窗宽20% D:中能平行孔准直器，能峰置于173keV和247keV，窗宽20% E:中能平行孔准直器，能峰置于93keV、184keV和296keV，窗宽20%

关于正电子放射性核素下列正确的是（）。

A:常常有较长的半衰期 B:常探测其发射的能量为511keV的γ光子 C:可通过普通的γ相机理想探测 D:适于普通SPECT E:可用于疾病的治疗

⁶⁷Ga炎症显像时采集条件是（）。

A:高能准直器，能峰置于511keV，窗宽15% B:低能平行孔准直器，能峰置于140keV，窗宽20% C:低能平行孔准直器，能峰置于70keV和167keV，窗宽20% D:中能平行孔准直器，能峰置于173keV和247keV，窗宽20% E:中能平行孔准直器，能峰置于93keV、184keV和296keV，窗宽20%

⁶⁷Ga炎症显像时采集条件是（）

A:高能准直器，能峰置于511keV，窗宽15% B:低能平行孔准直器，能峰置于140keV，窗宽20% C:低能平行孔准直器，能峰置于70keV和167keV，窗宽20% D:中能平行孔准直器，能峰置于173keV和247keV，窗宽20% E:中能平行孔准直器，能峰置于93keV、184keV和296keV，窗宽20%

⁶⁷Ga炎症显像时采集条件是

A:高能准直器，能峰置于511keV，窗宽15% B:低能平行孔准直器，能峰置于140keV，窗宽20% C:低能平行孔准直器，能峰置于70keV和167keV，窗宽20% D:中能平行孔准直器，能峰置于173keV和247keV，窗宽20% E:中能平行孔准直器，能峰置于93keV、184keV和296keV，窗宽20%

⁶⁷Ga炎症显像时采集条件是（）。

A:高能准直器，能峰置于511keV，窗宽15% B:低能平行孔准直器，能峰置于140keV，窗宽20% C:低能平行孔准直器，能峰置于70keV和167keV，窗宽20% D:中能平行孔准直器，能峰置于173keV和247keV，窗宽20% E:中能平行孔准直器，能峰置于93keV、184keV和296keV，窗宽20%