以下关于直接数字X线摄影探测器的基本结构的说法，错误的是

A:探测器采用薄膜晶体管阵列结构 B:像素被安排为二维矩阵 C:按行设门控线 D:按列设图像电荷输出线 E:沉积在薄膜晶体管下的是厚硒膜、介质层、表面电极

间接DR中，位于FPD顶层的是（）

A:非晶硒 B:薄膜晶体管 C:碘化铯 D:非晶硅 E:钨酸钙

关于非晶态硒型平板探测器的描述，错误的是

A:非晶态硒层涂覆在保护层上 B:集电矩阵由按阵元方式排列的薄膜晶体管组成 C:每个薄膜晶体管即是一个采集图像的最小单元 D:由集电矩阵、硒层、电介质、顶层电极和保护层等构成 E:封装在类似胶片夹的暗盒内

CR中EDR的中文全称是（）

A:影像记录装置 B:曝光数据识别器 C:薄膜晶体管阵列 D:光电倍增管 E:曝光指示器

TFT中文准确解释是（）

A:向列型 B:超扭曲向列型 C:双层超扭曲向列型 D:薄膜晶体管型

CR中EDR的中文全称是

A:影像记录装置 B:曝光数据识别器 C:薄膜晶体管阵列 光电倍增管 D:曝光指示器

下列关于直接数字X线摄影探测器的基本结构的说法，错误的是（）

A:探测器采用薄膜晶体管阵列结构 B:像素被安排为二维矩阵 C:按行设门控线 D:按列设图像电荷输出线 E:沉积在薄膜晶体管下的是厚硒膜、介质层、表面电极

下列关于直接数字X线摄影探测器的基本结构的说法，错误的是（）。

A:探测器采用薄膜晶体管阵列结构 B:像素被安排为二维矩阵 C:按行设门控线 D:按列设图像电荷输出线 E:沉积在薄膜晶体管下的是厚硒膜、介质层、表面电极