膜内电位由-60mV到复极化基本完成(大约-80mV)这段时期

A:有效不应期 B:相对不应期 C:超常期 D:心室易损期 E:反应期

在循环系统MRI扫描技术中与心电有关的参数选择正确的是

A:TR：在多时相中一个时间间隔单时相扫描序列为一个或数个P-P间期 B:延迟时间(TD)：选择longest或设定于一个R-T间期的特定时间 C:门控不应期：其值选择决定于TR，门控不应期为(0.7～0.9)×N，N为TR内包含的R-R间期个数 D:心律不应期拒绝窗：设定为60%～80% E:时相数：GRE序列中设10～64，SE序列中设2～10

在循环系统MRI扫描技术中与心电有关的参数选择正确的是（）

A:TR：在多时相中一个时间间隔单时相扫描序列为一个或数个P-P间期 B:延迟时间（T：选择longest或设定于一个R-T间期的特定时间 C:门控不应期：其值选择决定于TR，门控不应期为（0.7～0.9）×N，N为TR内包含的R-R间期个数 D:心律不应期拒绝窗：设定为60%～80% E:时相数：GRE序列中设10～64，SE序列中设2～10

膜内电位由-80mV恢复到-90mV这段时期（）。

A:有效不应期 B:相对不应期 C:超常期 D:心室易损期 E:反应期

在循环系统MRI扫描技术中与心电有关的参数选择正确的是（）

A:TR：在多时相中一个时间间隔单时相扫描序列为一个或数个P-P间期 B:延迟时间（T：选择longest或设定于一个R-T间期的特定时间 C:门控不应期：其值选择决定于TR，门控不应期为（0.7～0.9）×N，N为TR内包含的R-R间期个数 D:心律不应期拒绝窗：设定为60%～80% E:时相数：CRE序列中设10～64，SE序列中设2～10

膜内电位由-60mV到复极化基本完成（大约-80mV）这段时期（）

A:有效不应期 B:相对不应期 C:超常期 D:心室易损期 E:反应期

在循环系统MRI扫描技术中与心电有关的参数选择正确的是（）。

A:心律不应期拒绝窗：设定为60%～80% B:TR：在多时相中一个时间间隔单时相扫描序列为一个或数个P-P间期 C:门控不应期：其值选择决定于TR，门控不应期为（0.7～0.9）×N，N为TR内包含的R-R间期个数 D:延迟时间（TD）：选择longest或设定于一个R-T间期的特定时间 E:时相数：GRE序列中设10～64，SE序列中设2～10