MRS的物理基础是

A:化学位移 B:部分容积效应 C:相位混淆 D:时间飞跃 E:相位对比

相位编码的作用是（）

A:相位编码作用期间，使相位编码方向的质子具有同样的相位 B:相位编码作用期间，使垂直于相位编码方向的质子具有同样的相位 C:相位编码作用期间，使垂直于相位编码方向的质子具有同样的进动频率 D:相位编码梯度结束后，使相位编码方向的质子具有同样的相位 E:相位编码梯度结束后，使垂直于相位编码方向的质子具有不同的相位

相位编码的作用是（）

A:相位编码作用期间，使相位编码方向的质子具有同样的相位 B:相位编码作用期间，使垂直于相位编码方向的质子具有同样的相位 C:相位编码作用期间，使垂直于相位编码方向的质子具有同样的进动频率 D:相位编码梯度结束后，使相位编码方向的质子具有同样的相位 E:相位编码梯度结束后，使垂直于相位编码方向的质子具有不同的相位

相位编码的作用是（）

A:相位编码作用期间，使相位编码方向的质子具有同样的相位 B:相位编码作用期间，使垂直于相位编码方向的质子具有同样的相位 C:相位编码作用期间，使垂直于相位编码方向的质子具有同样的进动频率 D:相位编码梯度结束后，使相位编码方向的质子具有同样的相位 E:相位编码梯度结束后，使垂直于相位编码方向的质子具有不同的相位

MRS的物理基础是

A:时间飞跃 B:化学位移 C:相位混淆 D:部分容积效应 E:相位对比

MRS的物理基础是（）。

A:时间飞跃 B:化学位移 C:相位混淆 D:部分容积效应 E:相位对比