在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域，它（）。

A:有自由电子，没有空穴 B:没有自由电子，有空穴 C:有自由电子，有空穴 D:没有自由电子，没有空穴

半导体中空穴电流是由（）

A:价电子填补空穴形成的 B:自由电子填补空穴形成的 C:空穴填补自由电子形成的 D:自由电子定向运动形成的

半导体中空穴电流是由（）

A:自由电子填补空穴所形成的 B:价电子填补空穴所形成的 C:自由电子定向运动所形成的 D:价电子的定向运动所形成的

半导体中空穴电流是由（）。

A:价电子填补空穴所形成的； B:自由电子填补空穴所形成的； C:自由电子定价运动所形成的； D:价电子的定向运动所形成的.

N型半导体中，电子数目少于空穴数目，其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中，电子数目多于空穴数目，其导电能力主要由电子决定。

电力晶体管GTR内部电流是由（）形成的。

A:电子 B:空穴 C:电子和空穴 D:有电子但无空穴

P型半导体中，电子数目与空穴数目相比（）。

A:电子数多于空穴数 B:电子数少于空穴数 C:电子数等于空穴数 D:电子数与空穴数之比为3：2

在P型半导体和 N型半导体的接合部会产生一个区域，它(　)。

A:有自由电子，没有空穴 B:没有自由电子，有空穴 C:有自由电子，有空穴 D:没有自由电子，没有空穴

电力晶体管 GTR 内部电流是由(　)形成的。

A:电子 B:空穴 C:电子和空穴 D:有电子但无空穴

电力晶闸管 GTR 内部电流是由 (　) 形成的。

A:电子 B:空穴 C:电子和空穴 D:有电子但无空穴