电子跃迁的类型不正确的是

A:n→n跃迁 B:π→σ跃迁 C:π→π跃迁 D:σ→σ跃迁 E:n→π跃迁

由π→π*跃迁引起的

A:紫外-可见光谱 B:红外光谱 C:荧光光谱 D:原子吸收光谱 E:X射线衍射

原子内层电子跃迁产生的是

A:靶面 B:电子源 C:轨道电子跃迁 D:特征X线 E:轫致辐射

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。

以下叙述错误的是

A:高速电子与靶物质轨道电子作用的结果 B:X线的质与高速电子的能量有关 C:X线的波长由跃迁的电子能量差决定 D:靶物质原子序数较高的X线的能量大 E:70kVp以下钨靶不产生

跃迁

物质发射磷光对应的能级跃迁是（）。

A:分子从较高能级的激发态跃迁到第一激发态的最低振动能级 B:分子从单线第一激发态的最低振动能级跃迁到基态的最低振动能级 C:分子从单线第一激发态的最低振动能级跃迁到基态的各振动能级 D:分子从三线激发态的最低振动能级跃迁到基态的各个振动能级

电子跃迁时，总是伴随着（）的变化

A:振动能级 B:转动能级 C:振动能级和转动能级 D:原子核能量

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。 有关特征X线的解释，错误的是（）

A:高速电子与靶物质轨道电子作用的结果 B:特征X线的质取决于高速电子的能量 C:特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定 D:靶物质原子序数较高特性X线的能量大 E:70kVp以下钨不产生K系特征X线

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。 下列叙述错误的是（）

A:高速电子与靶物质轨道电子作用的结果 B:X线的质与高速电子的能量有关 C:X线的波长由跃迁的电子能量差决定 D:靶物质原子序数较高的X线的能量大 E:70kVp以下钨靶不产生