透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动，负电子跑向偏压的正极，正电子跑向偏压的负极，于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比，这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元，即像素。每个像素区内有一个场效应管，在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下，开关导通，把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D转换器，从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。

关于该平板探测器的叙述错误的是

A:属于直接转换 B:属于间接转换 C:成像效果好于IP D:数据转换不经过可见光 E:需要__电场

非晶硒平板

A:直接转换 B:间接转换 C:光电转换 D:电光转换 E:闪烁晶体

关于非晶态硒型平板探测器的描述，错误的是

A:非晶态硒层涂覆在保护层上 B:集电矩阵由按阵元方式排列的薄膜晶体管组成 C:每个薄膜晶体管即是一个采集图像的最小单元 D:由集电矩阵、硒层、电介质、顶层电极和保护层等构成 E:封装在类似胶片夹的暗盒内

关于非晶硒平板探测器的叙述，不正确的是（）

A:直接转换探测器使用了光导电材料，能将所吸收的光子转换成电荷，典型材料为非晶硒 B:非晶硒本身不具有固有密度分辨力 C:电流的大小与入射X线光子的数量成正比 D:由于电子和空穴是沿着电场线运动的，所以，它们在运动的过程中没有横向电荷散布 E:各种数字平板探测器的图像质量可以用DQE来衡量

非晶硒平板探测器储存信息的元件是（）

A:TFT B:非晶硒 C:CsI D:A/D转换器 E:储能电容

关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是（）

A:使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷 B:典型材料为非晶硒（a-S C:每个薄膜晶体管（TFT）形成一个采集图像的最小单元 D:非晶硒层直接将X线转换成电信号 E:与非晶硅探测器的工作原理相同

非晶硒平板是（）

A:直接转换 B:间接转换 C:光电转换 D:电光转换 E:闪烁晶体

非晶硒平板（）

A:直接转换  B:间接转换  C:光电转换  D:电光转换  E:闪烁晶体