关于特征X线的叙述，正确的是

A:X线波长仅与管电压有关 B:外层轨道电子跃迁产生X线为特征放射 C:X射线谱是连续能量谱 D:电压升高特征放射能量增加 E:管电压升高特征射线的百分比减少

X线的产生原理是高速电子和靶物质相互作用的结果。在真空条件下高千伏的电场产生的高速电子流与靶物质的原子核和内层轨道电子作用，分别产生了连续X线和特征X线。高速电子和靶物质相互作用过程中，将会发生碰撞损失和辐射损失，最终高速电子的动能变为辐射能、电离能和热能。三种能量的比例随入射电子能量的变化和靶物质性质的差别而不同。影响连续X线产生的因素包括X线管靶面物质、管电压、管电流以及__波形。

以下叙述错误的是

A:K系特征X线的强度与管电流成正比 B:管电压大于激发电压时才发生 C:医用X线主要使用的是特征X线 D:随管电压的升高K系强度迅速增大 E:特征X线只占很少一部分，并不重要

高千伏摄影是指用120kV以上管电压产生的能量较大的X线，高能量X线通过肢体时，被吸收衰减的方式、吸收系数均与一般能量的X线不同，形成了与一般X线摄影影像不同的对比度变化，从而得到与一般X线摄影不同的效果。

关于管电压叙述正确的是

A:管电压与穿透深度无关 B:管电压不影响照片影像对比度 C:管电压升高，摄影条件宽容度增大 D:高电压摄影可降低信息量 E:管电压不影响照片密度

关于特征X线的叙述，正确的是

A:X线波长仅与管电压有关 B:外壳层电子跃迁产生X线为特征放射 C:X射线谱是连续能量谱 D:电压升高特征放射能量增加 E:管电压升高特征射线的百分比减少

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。

有关特征X线的解释，错误的是

A:高速电子与靶物质轨道电子作用的结果 B:特征X线的质取决于高速电子的能量 C:特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定 D:靶物质原子序数较高特性X线的能量大 E:70kVp以下钨不产生K系特征X线

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。

入射光子能量恰好等于原子轨道的结合能时，光电效应的发生几率发生以下哪种变化

A:突然减少 B:突然增大 C:变为零 D:变为10% E:无变化

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。

与X线产生无关的因素是

A:高速电子的动能 B:靶面物质 C:管电压 D:阴极加热电流 E:有效焦点大小

关于X线特征的叙述，正确的是（　）

A:X线波长仅与管电压有关 B:内层轨道电子发射出的X线为特征放射 C:X射线谱是连续能量谱 D:电压升高特征放射能量增加 E:管电压升高特征射线的百分比减少

关于特征X线的叙述，正确的是（）

A:X线波长仅与管电压有关 B:内层轨道电子发射出的X线为特征放射 C:X射线谱是连续能量谱 D:电压升高特征放射能量增加 E:管电压升高特征射线的百分比减少