用于微机继电保护装置的电流、电压和信号接点引入线，应采用屏蔽电缆，屏蔽电缆的屏蔽层（）

A:在开关场和控制室同时接地 B:仅在开关场接地 C:仅在控制室接地 D:屏蔽层两侧均可不接地

关于铜屏蔽层电阻比的试验方法说法正确的是（）

A:用双臂电桥测量在同温下的铜屏蔽和导体的直流电阻 B:当铜屏蔽和导体的直流电阻之比与投运前相比增加时，表明铜屏蔽层的直流电阻增大，铜屏蔽可能被腐蚀 C:当铜屏蔽和导体的直流电阻之比与投运前相比减少时，表明附件中导体接点的接触电阻有增大的可能 D:用单臂电桥测量在同温下的铜屏蔽和导体的直流电阻

交联聚乙烯绝缘电缆内半导体屏蔽层的作用是（）。

A:线芯表面采用半导体屏蔽层可以均匀线芯表面不均匀电场的作用。 B:防止了导体与绝缘层间接触。 C:抑制电树或水树生长。 D:通过半导体屏蔽层热阻的分温作用，使主绝缘温升下降，起到热屏蔽作用。

用于微机继电保护装置的电流、电压和信号接点引入线，应采用屏蔽电缆，屏蔽电缆的屏蔽层（）

A:在开关场和控制室同时接地 B:仅在开关场接地 C:仅在开关场接地 D:屏蔽层两侧均可不接地

在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的导体等电位，并与绝缘层良好接触，从而可避免在导体与绝缘层之间发生局部放电，这层屏蔽又称为（）

A:外屏蔽层 B:内屏蔽层 C:主屏蔽层 D:次屏蔽层

关于电力电缆铜屏蔽层电阻和导体电阻比测试的说法正确的是（）。

A:能够判断屏蔽层是否出现腐蚀 B:比值增大，屏蔽层可能腐蚀 C:比值减少，可能是附件中的导体连接点的电阻增大 D:正常情况下，比值应无明显改变

下列（）不是同轴电缆的屏蔽层的类型。

A:单层屏蔽 B:双屏蔽 C:三层屏蔽 D:四层屏蔽

对于进入通信机房的又有铠带又有屏蔽层的电缆，其接地方式是（）

A:机房内铠带和屏蔽层同时接地，另一端铠带和屏蔽层也同时接地 B:机房内铠带和屏蔽层同时接地，另一端只将屏蔽层接地 C:机房内铠带和屏蔽层同时接地，另一端只将铠带接地 D:机房内只将屏蔽层接地，另一端铠带和屏蔽层同时接地

要使电缆屏蔽层有良好的屏蔽效果，需对电缆的屏蔽进行接地，下面说法错误的是（）。

A:电缆屏蔽层须有一个接地电阻较小的接地极 B:电缆屏蔽接地不得与电气接地合用 C:保证电缆屏蔽层单点接地 D:屏蔽接地应尽量选择足够多的接地点接地

下列关于利用半价层计算屏蔽层厚度的说法，不正确的是（）

A:只要有散射线存在，其半价层就不是固定值 B:根据半价层计算出的屏蔽层厚度是准确的 C:半价层厚度随屏蔽层的厚度增加而增加 D:屏蔽层厚度很大时，半价层厚度不再随屏蔽层厚度增加而增加