关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）

A:p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。 B:在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。 C:p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。 D:与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

CDMA系统的反向信道有（）。

A:接入信道，反向业务信道 B:接入信道，业务信道 C:寻呼信道，反向业务信道 D:寻呼信道，业务信道

关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。

A:相同功率的锗管反向漏电流大于硅管 B:NPN管反向漏电流小于PNP管 C:电压越高越大 D:NPN管反向漏电流大于PNP管

当二极管外加电压时，反向电流很小，且不随（）变化。

A:正向电流 B:正向电压 C:反向电压 D:电压

PN结外加反向电压，电流值与外加电压的大小的关系是（）。

A:随外加电压的增加，反向电流增加 B:随外加电压的增加，反向电流减小 C:随外加电压的增加，反向电流无变化 D:随外加电压的增加，反向电流趋于稳定

当二极管加反向电压时，若反向电压达到某一定值，反向电流会急剧增大。这种现象称为（）。

A:反向导通 B:反向击穿 C:反向截止 D:正向截止

当晶体管上的反向电压高于某值，反向电流会突然增大，这个电压叫（）。

A:死区电压 B:反向击穿电压

涡流线圈中的电流反向时（）.

A:零件中的涡流方向不变； B:零件中的涡流相位变化45°； C:零件中的涡流也反向； D:零件中涡流不变.

当二极管外加电压时，反向电流很小，且不随( )变化。

A:正向电流 B:正向电压 C:电压 D:反向电压